【Περιγραφή προϊόντος】
Η τεχνολογία Heterojunction Silicon (HJT) βασίζεται σε εκπομπό και πεδίο οπίσθιας επιφάνειας (BSF) που παράγονται από την ανάπτυξη σε χαμηλή θερμοκρασία εξαιρετικά λεπτών στρωμάτων άμορφου πυριτίου (a-Si:H) και στις δύο πλευρές πολύ καλά καθαρισμένων πλακών μονοκρυσταλλικού πυριτίου , με πάχος μικρότερο από 160 μm, όπου φωτοδημιουργούνται ηλεκτρόνια και οπές.
【Ροή διαδικασίας】
【Βασικά χαρακτηριστικά】
High Eff και high Voc
Συντελεστής χαμηλής θερμοκρασίας 5-8 τοις εκατό κέρδος ισχύος εξόδου
Διπροσωπικές δομές
【Βασικά χαρακτηριστικά】
Υψηλή απόδοση και υψηλή φωνή
Συντελεστής χαμηλής θερμοκρασίας 5-8 τοις εκατό κέρδος ισχύος εξόδου
Διπροσωπικές δομές
【Τεχνικά δεδομένα】
ΤΕΧΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ | ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΕΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΚΑΙ ΚΟΛΛΗΤΗΡΙΟΤΗΤΑ | |||
Διάσταση | 166mm*166mm±0.25 | TkUoc (%) | -0.192 | |
Πάχος | 150 συν 20 μm/-10 μm | TkIsc ( τοις εκατό /K) | συν 0.035 | |
Εμπρός | 9×0.1mm μπροστινό ηλεκτρόδιο τύπου σημείου συγκόλλησης | TkPMAX (%) | -0.236 | |
Πίσω | Πίσω ηλεκτρόδιο 9×0, 1 χιλιοστά, τύπου σημείου συγκόλλησης | Ελάχιστη αντοχή φλοιού | >1,4 N/mm | |
ΗΛΕΚΤΡΙΚΕΣ ΠΑΡΑΜΕΤΡΟΙ στο STC | |||||||
Οχι. | Αποδοτικότητα ( ποσοστό ) | Pmpp (W) | Uoc (V) | Isc (A) | Umpp (V) | Impp (A) | FF ( ποσοστό ) |
1 | 24.40 | 6.69 | 0.746 | 10.758 | 0.644 | 10.386 | 83.35 |
2 | 24.30 | 6.66 | 0.746 | 10.754 | 0.644 | 10.352 | 83.10 |
3 | 24.20 | 6.63 | 0.745 | 10.750 | 0.643 | 10.318 | 82.84 |
4 | 24.10 | 6.61 | 0.745 | 10.745 | 0.643 | 10.282 | 82.56 |
5 | 24.00 | 6.58 | 0.744 | 10.740 | 0.642 | 10.245 | 82.27 |
6 | 23.90 | 6.55 | 0.744 | 10.728 | 0.642 | 10.210 | 82.06 |
7 | 23.80 | 6.52 | 0.744 | 10.716 | 0.641 | 10.175 | 81.84 |
8 | 23.70 | 6.50 | 0.744 | 10.683 | 0.642 | 10.124 | 81.76 |
9 | 23.60 | 6.47 | 0.744 | 10.649 | 0.642 | 10.072 | 81.67 |
10 | 23.50 | 6.44 | 0.743 | 10.628 | 0.640 | 10.072 | 81.64 |
11 | 23.40 | 6.41 | 0.741 | 10.607 | 0.637 | 10.072 | 81.61 |
12 | 23.30 | 6.39 | 0.741 | 10.602 | 0.635 | 10.058 | 81.35 |
13 | 23.20 | 6.36 | 0.740 | 10.596 | 0.633 | 10.043 | 81.09 |
14 | 23.10 | 6.34 | 0.741 | 10.563 | 0.635 | 9.979 | 80.88 |
15 | 23.00 | 6.31 | 0.742 | 10.530 | 0.636 | 9.914 | 80.67 |
16 | 22.90 | 6.28 | 0.742 | 10.504 | 0.635 | 9.890 | 80.57 |
17 | 22.80 | 6.25 | 0.742 | 10.477 | 0.634 | 9.865 | 80.46 |
18 | 22.70 | 6.23 | 0.741 | 10.488 | 0.632 | 9.850 | 80.18 |
19 | 22.60 | 6.20 | 0.739 | 10.499 | 0.630 | 9.834 | 79.89 |
20 | 22.50 | 6.17 | 0.738 | 10.496 | 0.629 | 9.809 | 79.72 |
21 | 22.40 | 6.14 | 0.736 | 10.493 | 0.628 | 9.784 | 79.54 |
【Φασματική Απόκριση】
【Εξάρτηση Έντασης】
Δημοφιλείς Ετικέτες: ηλιακό στοιχείο τύπου n 166mm m6 hjt, Κίνα, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, κατασκευασμένο στην Κίνα
