N Τύπος Silicon Solar Cell

Η τεχνολογία Heterojunction Silicon (HJT) βασίζεται σε έναν εκπομπό και ένα πεδίο οπίσθιας επιφάνειας (BSF) που παράγονται από ανάπτυξη σε χαμηλή θερμοκρασία υπερ-λεπτών στρωμάτων άμορφου πυριτίου

Η ηλιακή κυψέλη 210 mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) είναι με απόδοση 24,4 τοις εκατό και ονομαστική ισχύς 10,76 Watt ανά κυψέλη.

Η τεχνολογία Heterojunction Silicon (HJT) βασίζεται σε εκπομπό και πεδίο οπίσθιας επιφάνειας (BSF) που παράγονται από την ανάπτυξη σε χαμηλή θερμοκρασία εξαιρετικά λεπτών στρωμάτων άμορφου πυριτίου

Η τεχνολογία TOPCON (παθητικοποιημένη επαφή οξειδίου σήραγγας) ενισχύει την απόδοση των ηλιακών κυψελών τύπου N έως και 25 τοις εκατό. Η βιομηχανική ηλιακή κυψέλη TOPCon 210 mm είναι με μέγιστη

Η τεχνολογία TOPCON (tunel oxide passivated contact) αυξάνει την απόδοση των ηλιακών κυττάρων τύπου Ν έως και 24,5%. Η ηλιακή κυψέλη μονοκρυσταλλικού τύπου N 182mm TOPCon έχει ονομαστική ισχύ

Αναβαθμισμένη από την τεχνολογία PERT, η τεχνολογία TOPCON (tunnel oxide passivated contact) σε συνδυασμό με το στρώμα παθητικοποίησης AlOx/ SiNx ενισχύουν την απόδοση των ηλιακών κυψελίδων τύπου N

Τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου Mono bifacial PERT (passivated emitter rear total diffused) N-type διαθέτουν υψηλές και σταθεροποιημένες αποδόσεις μετατροπής. Το ηλιακό κυψέλη διφασικού PERT τύπου n

Τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου Mono bifacial PERT (passivated emitter rear total diffused) διαθέτουν υψηλές και σταθεροποιημένες αποδόσεις μετατροπής. Τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου τύπου Ν θεωρούνται πολλά

Στη δομή των διακεκομμένων κυττάρων της πίσω επαφής (IBC), ο εκπομπός και η επαφή βρίσκονται τόσο στην πίσω πλευρά της γκοφρέτας που επιτρέπει την ανεξάρτητη βελτιστοποίηση της μπροστινής επιφάνειας

N-τύπος Μονοδικαστικό PERT (παθητικός πομπός πίσω εντελώς διάχυτος) τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου κατέχουν υψηλή και σταθεροποιημένη αποδοτικότητα μετατροπής.Τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου τύπου N