Περιγραφή προϊόντων
HJT Cell Core Structure
Η τεχνολογία Heterojunction Silicon (HJT) βασίζεται σε έναν εκπομπό και ένα πεδίο οπίσθιας επιφάνειας (BSF) που παράγονται από την ανάπτυξη σε χαμηλή θερμοκρασία υπερ-λεπτών στρωμάτων άμορφου πυριτίου (a-Si:H) και στις δύο πλευρές πολύ καλά καθαρισμένων πλακών μονοκρυσταλλικού πυριτίου, με πάχος μικρότερο από 200 μm και ηλεκτρονίων.
Διαδικασία κατασκευής κυττάρων HJT
Η διαδικασία των κυττάρων ολοκληρώνεται με την εναπόθεση διαφανών αγώγιμων οξειδίων που επιτρέπουν μια εξαιρετική επιμετάλλωση. Η επιμετάλλωση μπορεί να γίνει με τυπική μεταξοτυπία που χρησιμοποιείται ευρέως στη βιομηχανία για την πλειοψηφία των κυψελών ή με καινοτόμες τεχνολογίες.
Πλεονεκτήματα τεχνολογίας HJT
Τα ηλιακά κύτταρα πυριτίου με τεχνολογία Heterojunction (HJT) έχουν προσελκύσει μεγάλη προσοχή επειδή μπορούν να επιτύχουν υψηλές αποδόσεις μετατροπής, έως και 25%, ενώ χρησιμοποιούν επεξεργασία χαμηλής θερμοκρασίας, συνήθως κάτω από 250 βαθμούς για την πλήρη διαδικασία. Η χαμηλή θερμοκρασία επεξεργασίας επιτρέπει το χειρισμό πλακών πυριτίου πάχους μικρότερου από 100 μm διατηρώντας παράλληλα υψηλή απόδοση.
Ροή διαδικασίας
Βασικά χαρακτηριστικά
High Eff και high Voc
Συντελεστής χαμηλής θερμοκρασίας 5-8% κέρδος ισχύος εξόδου
Διπροσωπικές δομές
【Τεχνικά δεδομένα】
| ΤΕΧΝΙΚΑ ΣΤΟΙΧΕΙΑ ΚΑΙ ΣΧΕΔΙΑΣΜΟΣ | ΣΥΝΤΕΛΕΣΤΕΣ ΘΕΡΜΟΚΡΑΣΙΑΣ ΚΑΙ ΚΟΛΛΗΤΗΡΙΟΤΗΤΑ | ||
|---|---|---|---|
| Διάσταση | 156,75mm*156,75mm±0,25 | TkUoc (%/K) | -0.27 |
| Πάχος | 190±30 µm | TkIsc (%/K) | +0.05 |
| Εμπρός | 5 Δίαυλος | TkPMAX (%/K) | -0.336 |
| Πίσω | 5 Δίαυλος | Ελάχιστη αντοχή φλοιού | >1,4 N/mm |
| Οχι. | Αποδοτικότητα (%) | Pmpp (W) | Uoc (V) | Isc (A) | FF (%) |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 23.50 | 5.74 | 0.743 | 9.6 | 80.53 |
| 2 | 23.40 | 5.72 | 0.741 | 9.592 | 80.43 |
| 3 | 23.30 | 5.70 | 0.74 | 9.585 | 80.33 |
| 4 | 23.20 | 5.67 | 0.738 | 9.577 | 80.24 |
| 5 | 23.10 | 5.65 | 0.737 | 9.57 | 80.14 |
| 6 | 23.0 | 5.63 | 0.735 | 9.562 | 80.04 |
| 7 | 22.90 | 5.60 | 0.733 | 9.554 | 79.94 |
| 8 | 22.80 | 5.58 | 0.732 | 9.547 | 79.84 |
| 9 | 22.70 | 5.55 | 0.73 | 9.539 | 79.75 |
| 10 | 22.60 | 5.53 | 0.729 | 9.532 | 79.65 |
| 11 | 22.50 | 5.51 | 0.727 | 9.524 | 79.55 |
| 12 | 22.40 | 5.48 | 0.725 | 9.516 | 79.45 |
| 13 | 22.30 | 5.46 | 0.724 | 9.509 | 79.36 |
| 14 | 22.20 | 5.44 | 0.722 | 9.501 | 79.26 |
| 15 | 22.10 | 5.41 | 0.721 | 9.494 | 79.16 |
| 16 | 22.00 | 5.39 | 0.719 | 9.486 | 79.06 |
| 17 | 21.90 | 5.37 | 0.717 | 9.479 | 78.97 |
| 18 | 21.80 | 5.35 | 0.716 | 9.471 | 78.87 |
| 19 | 21.70 | 5.32 | 0.714 | 9.463 | 78.77 |
| 20 | 21.60 | 5.30 | 0.712 | 9.456 | 78.67 |
| 21 | 21.50 | 5.28 | 0.711 | 9.448 | 78.57 |
Πιστοποιητικό
Δημοφιλείς Ετικέτες: N Type Mono Bifacial HJT Solar Cell, Κίνα, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, κατασκευασμένο στην Κίνα
