Εισαγωγή Προϊόντων
Τα υποστρώματα N{0}}τύπου SiC έχουν σχεδιαστεί για ομοεπιταξιακή ανάπτυξη στην προηγμένη παραγωγή ημιαγωγών ισχύος. Με ανώτερη ηλεκτρική και θερμική απόδοση, αυτή η υψηλή-απόδοσηΥπόστρωμα SiCείναι κατάλληλο για εφαρμογές υψηλής ισχύος-σε ηλεκτρικά οχήματα, φωτοβολταϊκά συστήματα, αιολική ενέργεια και άλλες νέες τεχνολογίες ενέργειας.
Η γκάμα προϊόντων περιλαμβάνει 6 ιντσών και 8 ιντσώνΓκοφρέτες SiCγια παραγωγή όγκου και παγκόσμια προσφορά, με δυνατότητα παραγωγής υποστρώματος 12{1} ιντσών διαθέσιμη για εφαρμογές ημιαγωγών ισχύος επόμενης γενιάς.
Προδιαγραφές
| 6 ιντσών | |
|---|---|
| Διάμετρος | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Επιφανειακός Προσανατολισμός | 4 μοίρες προς<1120>±0,5 μοίρες |
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | 47,5 mm ±1,5 mm |
| Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός | <1120>±1,0 βαθμός |
| Προσανατολισμός εγκοπής | / |
| Γωνία εγκοπής | / |
| Βάθος εγκοπής | / |
| Δευτερεύον Διαμέρισμα | N/A |
| Πάχος | 350,0um±25,0um |
| Πολύτυπος | 4H |
| Τύπος | n-τύπος |
| 8 ιντσών | |
|---|---|
| Διάμετρος | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Επιφανειακός Προσανατολισμός | 4 μοίρες προς<1120>±0,5 μοίρες |
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | Εγκοπή |
| Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός | / |
| Προσανατολισμός εγκοπής | <1100>±1,0 βαθμός |
| Γωνία εγκοπής | 90 μοίρες +5 μοίρες /-1 μοίρες |
| Βάθος εγκοπής | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Δευτερεύον Διαμέρισμα | N/A |
| Πάχος | 500,0um±25,0um |
| Πολύτυπος | 4H |
| Τύπος | n-τύπος |
| 12 ιντσών | |
|---|---|
| Διάμετρος | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Επιφανειακός Προσανατολισμός | 4 μοίρες προς<1120>±0,5 μοίρες |
| Πρωτεύον επίπεδο μήκος | Εγκοπή |
| Πρωτεύων Επίπεδος Προσανατολισμός | / |
| Προσανατολισμός εγκοπής | <1100>±5,0 μοίρες |
| Γωνία εγκοπής | 90 μοίρες +5 μοίρες /-1 μοίρες |
| Βάθος εγκοπής | 1,0 mm+0.25mm/-0 mm |
| Δευτερεύον Διαμέρισμα | N/A |
| Πάχος | 750,0um±25,0um |
| Πολύτυπος | 4H |
| Τύπος | n-τύπος |
Πιστοποιητικό
Δημοφιλείς Ετικέτες: 4h n-type sic substrate, China, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, κατασκευασμένο στην Κίνα
