P Type 161.7mm Monocrystalline Solar Wafer

Μέθοδος ανάπτυξης

CZ

Κρυσταλλικότητα

Μονοκρυσταλλικό

Προτιμητικές τεχνικές Etch（ASTM F47-88）

Τύπος αγωγιμότητας

Τύπος P

Napson EC-80TPN

P/N

Ντόπαντ

Βόριο, Γάλλιο

-

Συγκέντρωση οξυγόνου [Oi]

≦8E17 σε / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Συγκέντρωση άνθρακα [Cs]

≦5E+16 σε / cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Πυκνότητα χαρακτικής (πυκνότητα εξάρθρωσης)

≦500 εκ^-3

Προτιμητικές τεχνικές Etch（ASTM F47-88）

Προσανατολισμός επιφάνειας

& lt; 100> ± 3 °

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

Προσανατολισμός ψευδο τετραγωνικών πλευρών

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

Ανθεκτικότητα

0,5-1,5 Ωcm

Σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

MCLT (διάρκεια ζωής μειοψηφικής εταιρείας κινητής τηλεφωνίας)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(με επίπεδο ένεσης: 1E15 εκ^-3)

Γεωμετρία

Οιονεί πλατεία

Μήκος πλάγιας γκοφρέτας

161,7 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Διάμετρος Wafer

φ221 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Γωνία μεταξύ γειτονικών πλευρών

90° ± 0.2°

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πάχος

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Διακύμανση συνολικού πάχους)

≤27 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Μέθοδος κοπής

DW

--

Ποιότητα επιφάνειας

ως κομμένα και καθαρισμένα, δεν υπάρχει ορατή μόλυνση (δεν επιτρέπονται λάδια ή γράσα, δακτυλικά αποτυπώματα, λεκέδες σαπουνιού, λεκέδες, λεκέδες εποξειδικής / κόλλας)

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πριόνι σημάδια / βήματα

≤ 15µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Τόξο

≤ 40 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Στημόνι

≤ 40 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πατατακι

βάθος .3 0,3 mm και μήκος ≤ 0,5 mm μέγιστο 2 / τεμ. χωρίς τσιπ V

Γυμνά μάτια ή σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Μικρές ρωγμές / τρύπες

Δεν επιτρέπεται

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας