Τύπος P Πλήρης πλατεία Μονοκρυσταλλική Ηλιακή Γκοφρέτα

Τύπος P Πλήρης πλατεία Μονοκρυσταλλική Ηλιακή Γκοφρέτα

Μία μεθοδολογία είναι να ακολουθήσετε τη διαδρομή αύξησης του πλάτους κατά μήκος της μονοκρυσταλλικής γκοφρέτας από 125 mm σε 156 mm και αύξηση του μεγέθους της μονάδας, όπως ψευδο-τετράγωνο μονοκρυσταλλική γκοφρέτα ή πλήρης τετραγωνική μονοκρυσταλλική γκοφρέτα (wafer dimameter 223mm). Η μονοκρυσταλλική γκοφρέτα πλήρους τετραγωνικού μήκους 158,75 mm (διάμετρος γκοφρέτας 223 mm) αυξάνει την περιοχή της γκοφρέτας κατά περίπου 3,1% σε σύγκριση με τη μορφή Μ2, η οποία αυξάνει την ισχύ μιας μονάδας 60 κυττάρων κατά περίπου 10Wp.
Share to
Αποστολή ερώτησής
Chat τώρα
Περιγραφή
Τεχνικές παράμετροι


158.75mm Full Square Monocrystalline Solar Wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


Μια μεθοδολογία είναι να ακολουθήσετε τη διαδρομή αύξησης του πλάτους κατά μήκος της μονοκρυσταλλικής γκοφρέτας από 125mm σε 156mm και αύξηση του μεγέθους της μονάδας, όπως ψευδο-τετράγωνο 158,75mmμονοκρυσταλλικόγκοφρέτα ή πλήρες τετράγωνομονοκρυσταλλικόγκοφρέτα (διάμετρος γκοφρέτας 223 mm). ο158,75 χιλιοστάπλήρης πλατείαμονοκρυσταλλικόγκοφρέτα (διάμετρο 223mm) αυξάνει την περιοχή της γκοφρέτας κατά περίπου 3,1% σε σύγκριση με τη μορφή M2, η οποία αυξάνει την ισχύ μιας μονάδας 60 κυττάρων κατά περίπου 10Wp.


1 Ιδιότητες υλικού

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Μέθοδος ανάπτυξης

CZ


Κρυσταλλικότητα

Μονοκρυσταλλικό

Προτιμητικές τεχνικές Etch(ASTM F47-88)

Τύπος αγωγιμότητας

Τύπος P

Napson EC-80TPN

P/N

Ντόπαντ

Βόριο, Γάλλιο

-

Συγκέντρωση οξυγόνου [Oi]

≦8E17 σε / cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Συγκέντρωση άνθρακα [Cs]

≦5E+16 σε / cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Πυκνότητα χαρακτικής (πυκνότητα εξάρθρωσης)

≦500 εκ-3

Προτιμητικές τεχνικές Etch(ASTM F47-88)

Προσανατολισμός επιφάνειας

& lt; 100> ± 3 °

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

Προσανατολισμός ψευδο τετραγωνικών πλευρών

& lt; 010> ;,< 001=""> ± 3 °

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

2 Ηλεκτρικές ιδιότητες

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Ανθεκτικότητα

0,5-1,5 Ωcm

Σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

MCLT (διάρκεια ζωής μειοψηφικής εταιρείας κινητής τηλεφωνίας)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(με επίπεδο ένεσης: 1E15 εκ-3)

3Γεωμετρία



Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Γεωμετρία

Πλήρης πλατεία


Μήκος πλάγιας γκοφρέτας

158,75 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Διάμετρος Wafer

φ223 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Γωνία μεταξύ γειτονικών πλευρών

90° ± 0.2°

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πάχος

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

TTV (Διακύμανση συνολικού πάχους)

≤27 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας



image

4 Επιφανειακές ιδιότητες

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Μέθοδος κοπής

DW

--

Ποιότητα επιφάνειας

ως κομμένα και καθαρισμένα, δεν υπάρχει ορατή μόλυνση (δεν επιτρέπονται λάδια ή γράσα, δακτυλικά αποτυπώματα, λεκέδες σαπουνιού, λεκέδες, λεκέδες εποξειδικής / κόλλας)

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πριόνι σημάδια / βήματα

≤ 15µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Τόξο

≤ 40 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Στημόνι

≤ 40 µm

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Πατατακι

βάθος .3 0,3 mm και μήκος ≤ 0,5 mm μέγιστο 2 / τεμ. χωρίς τσιπ V

Γυμνά μάτια ή σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας

Μικρές ρωγμές / τρύπες

Δεν επιτρέπεται

σύστημα επιθεώρησης γκοφρέτας




Δημοφιλείς Ετικέτες: p τύπου πλήρης τετραγωνική μονοκρυσταλλική ηλιακή γκοφρέτα, Κίνα, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, κατασκευασμένα στην Κίνα

Αποστολή ερώτησής
Αποστολή ερώτησής