N-Τύπος G1 Μονοκρυσταλλική προδιαγραφή πυριτίου

N-Τύπος G1 Μονοκρυσταλλική προδιαγραφή πυριτίου

Το μονοκρυσταλλικό δισκίο πυριτίου G1 τύπου N διαθέτει ένα πλήρες τετράγωνο 158,75 × 158,75 mm σχεδιασμός, μεγιστοποιώντας την έκθεση στο φως και την αποτελεσματικότητα της μονάδας. Κατασκευασμένη με τη μέθοδο CZ με ντόπινγκ φωσφόρ<100>κρυσταλλικός προσανατολισμός. Με αγωγιμότητα τύπου Ν, εύρος αντίστασης 0,5-7 ω · cm και διάρκεια ζωής έως μεγαλύτερη ή ίση με 1000 μs, είναι κατάλληλη για τεχνολογίες κυτταρικών κυτταρικών υψηλής απόδοσης όπως το TopCon και το HJT. Το πλήρες τετραγωνικό σχήμα και οι στενές γεωμετρικές ανοχές εξασφαλίζουν τη βέλτιστη ενσωμάτωση και την απόδοση της μονάδας.
Share to
Αποστολή ερώτησής
Chat τώρα
Περιγραφή
Τεχνικές παράμετροι

CZ silicon crystal growth

 

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

 

Το μονοκρυσταλλικό δισκίο πυριτίου G1 τύπου N διαθέτει ένα πλήρες τετράγωνο 158,75 × 158,75 mm σχεδιασμός, μεγιστοποιώντας την έκθεση στο φως και την αποτελεσματικότητα της μονάδας. Κατασκευασμένη με τη μέθοδο CZ με ντόπινγκ φωσφόρ<100>κρυσταλλικός προσανατολισμός. Με αγωγιμότητα τύπου Ν, εύρος αντίστασης 0,5-7 ω · cm και διάρκεια ζωής έως μεγαλύτερη ή ίση με 1000 μs, είναι κατάλληλη για τεχνολογίες κυτταρικών κυτταρικών υψηλής απόδοσης όπως το TopCon και το HJT. Το πλήρες τετραγωνικό σχήμα και οι στενές γεωμετρικές ανοχές εξασφαλίζουν τη βέλτιστη ενσωμάτωση και την απόδοση της μονάδας.

 

 

1. Ιδιότητες υλικού

 

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Μέθοδος ανάπτυξης

CZ

 

Κρυσταλλότης

Μονοκρυσταλλικός

Προτιμησιακές τεχνικές χάραξης(ASTM F47-88)

Τύπος αγωγιμότητας

Τύπου Ν

Napson EC-80TPN

Μαργαριτάρι

Φώσφορος

-

Συγκέντρωση οξυγόνου [OI]

Λιγότερο από ή ίσο με8e +17 στο/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Συγκέντρωση άνθρακα [CS]

Λιγότερο από ή ίσο με5e +16 στο/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Πυκνότητα λάκκου χάραξης (πυκνότητα εξάρθρωσης)

Λιγότερο από ή ίσο με500 cm-2

Προτιμησιακές τεχνικές χάραξης(ASTM F47-88)

Επιφανειακός προσανατολισμός

<100>± 3 μοίρες

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

Προσανατολισμός των ψευδο -τετραγωνικών πλευρών

<010>,<001>± 3 μοίρες

Μέθοδος περίθλασης ακτίνων Χ (ASTM F26-1987)

 

2. Ηλεκτρικές ιδιότητες

 

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Αντίσταση

1.0-7.0 Ω.cm

Σύστημα επιθεώρησης δίσκων

MCLT (Lifetime Minority Carrier)

Μεγαλύτερη ή ίση με 1000 μs (αντίσταση > 1,0ohm.cm)
Μεγαλύτερη ή ίση με 500 μs (αντίσταση < 1,0ohm.cm)
Sinton BCT-400
QSSPC/παροδικό
(με επίπεδο έγχυσης: 1Ε15 cm -3)

 

3. Γεωμετρία

 

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Γεωμετρία

ψευδο -τετράγωνο

 
Σχήμα άκρων λοξοτομίας
γύρω  

Μήκος πλευρικής δίσκου

182 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Διάμετρος δίσεων

φ247 ± 0,25 mm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Γωνία μεταξύ παρακείμενων πλευρών

90 μοίρες ± 0,2 βαθμός

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Πάχος

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
σύστημα επιθεώρησης δίσκων

TTV (συνολική παραλλαγή πάχους)

Λιγότερο από ή ίσο με 27 µm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

 

image 29

 

4.Επιφανειακές ιδιότητες

 

Ιδιοκτησία

Προσδιορισμός

Μέθοδος επιθεώρησης

Μέθοδος κοπής

ΫΠ

--

Επιφανειακή ποιότητα

Όπως κόβεται και καθαρίζεται, δεν επιτρέπεται ορατή μόλυνση, (λάδι ή λίπος, εκτυπώσεις δακτύλων, λεκέδες σαπουνιού, λεκέδες πολτών, εποξειδικές/κόλλες λεκέδες) δεν επιτρέπονται)

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Είδε σήματα / βήματα

Λιγότερο από ή ίσο με 15μm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Τόξο

Λιγότερο από ή ίσο με 40 μm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Στημόνι

Λιγότερο από ή ίσο με 40 μm

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

Τσιπ

βάθος μικρότερο ή ίσο με 0,3mm και μήκος μικρότερο ή ίσο με 0,5mm max 2/τεμ. Χωρίς V-τσιπ

Γυμνά μάτια ή σύστημα επιθεώρησης πλακιδίων

Μικρές ρωγμές / τρύπες

Δεν επιτρέπεται

σύστημα επιθεώρησης δίσκων

 

 

 

 

Δημοφιλείς Ετικέτες: N-τύπου G1 Μονοκρυσταλλική προδιαγραφή πυριτίου, Κίνα, προμηθευτές, κατασκευαστές, εργοστάσιο, κατασκευασμένο στην Κίνα

Αποστολή ερώτησής
Αποστολή ερώτησής